ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ H22F07 aR 690V/700V 25‑100A | IEC60269‑4 UL248‑13

ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ทรงกระบอก H22F07 ชนิด aR, AC690V/700V DC600V, 25‑100A, ความสามารถในการตัดกระแส 80kA AC / 50kA DC เหมาะสำหรับ UPS, อินเวอร์เตอร์ขนาดเล็ก และไดรฟ์ปรับความเร็วรอบ เป็นไปตามมาตรฐาน IEC60269‑4, UL248‑13, GB13539‑4 สามารถปรับแต่งได้ตามต้องการ.

ประสบการณ์กว่า 20 ปี

ประสบการณ์กว่า 20 ปีในด้านการผลิตอุปกรณ์ป้องกันไฟฟ้าและฟิวส์.

 

การควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวด

การทดสอบอย่างเข้มงวดช่วยให้มั่นใจได้ถึงประสิทธิภาพของผลิตภัณฑ์ที่เชื่อถือได้.

 

ขอใบเสนอราคา

                               ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ทรงกระบอกชนิด A-R รุ่น H22F07 690V/700V 25-100A

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

ซีรี่ส์ H22F07 คือ ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ความเร็วสูงพิเศษคลาส AR, ออกแบบมาเพื่อป้องกันการโอเวอร์โหลดและการลัดวงจรของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำกำลังไฟฟ้าที่ไวต่อความเสียหายในอุปกรณ์ไฟฟ้า มีพิกัดแรงดัน AC IEC 690V, UL 700V และ DC 600V ช่วงกระแส 25A-100A มีกำลังการตัดวงจรสูง 80 กิโลแอมป์ (กระแสสลับ), 50 กิโลแอมป์ (กระแสตรง). มีการใช้งานอย่างแพร่หลายสำหรับการป้องกัน UPS อินเวอร์เตอร์ขนาดเล็ก การป้องกันไดรฟ์ปรับความเร็วรอบ (VFD) และวงจรอิเล็กทรอนิกส์กำลังระดับ 700 อื่นๆ.

ฟิวส์ซีรีส์นี้เป็นไปตามข้อกำหนด GB13539‑4, IEC 60269‑4 และ UL248‑1 / UL248‑13 เป็นไปตามมาตรฐาน มีบริการปรับแต่งตามความต้องการของลูกค้า ข้อมูลการทดสอบวัดภายใต้สภาพแวดล้อมอุณหภูมิคงที่ 23.5 °C gfefuse.co….

คุณสมบัติหลักและโครงสร้าง

  • ประเภทการใช้งาน: อาร์, ออกแบบมาเพื่อป้องกันการลัดวงจรและกระแสเกินในอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์โดยเฉพาะ
  • องค์ประกอบหลอมเหลว: องค์ประกอบหลอมเหลวที่มีหน้าตัดแปรผันได้ ผลิตจาก เงินบริสุทธิ์ 99.99%
  • ท่อตัวเรือน: ท่อฟิวส์เซรามิกความแข็งแรงสูง
  • สารดับอาร์ค: ทรายควอตซ์บริสุทธิ์สูงที่ผ่านกระบวนการทางเคมี พร้อมสารเติมแต่งพิเศษ
  • การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าที่เชื่อถือได้ระหว่างองค์ประกอบหลอมเหลวและหน้าสัมผัสปลาย
  • รูปทรงกระบอก ติดตั้งง่ายด้วยตัวยึดฟิวส์มาตรฐาน
  • ประสิทธิภาพการทำงานที่เสถียรในช่วงอุณหภูมิที่กว้าง

เงื่อนไขการใช้งาน

  1. อุณหภูมิอากาศโดยรอบ: -40 ℃ ถึง +125 ℃
  2. ระดับความสูงในการติดตั้ง: ≤2000 เมตร สำหรับการใช้งานที่ระดับความสูงเกิน 2000 เมตร โปรดแจ้งให้เราทราบเพื่อขอออกแบบลดกำลังการทำงานตามระดับความสูงที่ต้องการ.

ข้อกำหนดทางเทคนิคหลัก

ตารางพิกัดทางไฟฟ้า
เลขที่.กระแสไฟฟ้าที่กำหนด (A)I²t(A²s) ก่อนการเกิดประกายไฟการหลอมรวมทั้งหมด I²t(A²s)การสูญเสียพลังงาน (วัตต์)แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดหมายเลขรุ่น
12532.43008.5690V/700VH22F07025
23260.365010.5690V/700VH22F07035
340101.895012690V/700VH22F07040
450217.6185013.4690V/700VH22F07050
563386.8310015.5690V/700VH22F07063
680840.1680016690V/700VH22F07080
710018901300017.8690V/700VH22F07100

หมายเหตุ: สภาพแวดล้อมการทดสอบ: อุณหภูมิคงที่ 23.5 °C สามารถกำหนดพารามิเตอร์เองได้.

มิติเชิงกล
  • เส้นผ่านศูนย์กลางภายนอก:Ø22.2 ±0.1 มม.
  • ความยาวโดยรวม:58 (+0.1 /‑2) มม.
  • ความยาวของฝาปิดด้านปลาย: 15.8 มม. ในแต่ละด้าน

แทรกภาพวาดแสดงขนาดพร้อมแท็ก ALT ที่นี่.

เส้นโค้งลักษณะการหลอมเหลว

กราฟแสดงความสัมพันธ์ระหว่างเวลาก่อนเกิดประกายไฟกับกระแสไฟฟ้าที่คาดการณ์ไว้ สะท้อนถึงประสิทธิภาพด้านเวลาและกระแสไฟฟ้าของฟิวส์แต่ละรุ่นในซีรีส์ H22F07 โปรดดูแผนภาพกราฟเพื่อการเลือกฟิวส์ที่ถูกต้องแม่นยำ.

แทรกภาพกราฟแสดงจุดหลอมเหลวตรงนี้ พร้อมแท็ก ALT.

การใช้งานทั่วไป

  • ระบบจ่ายไฟสำรอง (อินเวอร์เตอร์ขนาดเล็ก)
  • ไดรฟ์ปรับความเร็วรอบ / ไดรฟ์มอเตอร์ VFD
  • อุปกรณ์ไฟฟ้าแปลงพลังงาน
  • ตัวเรียงกระแส, การป้องกันการลัดวงจรของโมดูลกำลังไฟฟ้า
  • อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์กำลังไฟฟ้าอื่นๆ ที่มีแรงดัน 690-700V และต้องการการป้องกันกระแสเกินระดับเซมิคอนดักเตอร์
  • การปฏิบัติตามกฎระเบียบและมาตรฐาน
  • มาตรฐานแห่งชาติ: GB13539‑4
  • มาตรฐานสากล IEC: IEC 60269‑4
  • มาตรฐาน UL: UL248‑1, UL248‑13

คำถามที่พบบ่อย

1: คำว่า "ประเภทการใช้งาน aR" หมายถึงอะไร?

A: aR หมายถึงฟิวส์สำรองเซมิคอนดักเตอร์แบบช่วงจำกัด ซึ่งได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับการป้องกันการลัดวงจรที่รวดเร็วเป็นพิเศษสำหรับอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ โดยปกติแล้วจะต้องทำงานร่วมกับอุปกรณ์ป้องกันการโอเวอร์โหลดแยกต่างหากในระบบทั้งหมด.

2. เชื้อเพลิง H22F07 สามารถใช้งานได้ที่ระดับความสูงเกิน 2000 เมตรหรือไม่?

A: ใช่ครับ ประสิทธิภาพจะลดลงเมื่อบินสูงเกิน 2000 เมตร โปรดติดต่อทีมวิศวกรของเราเพื่อขอรับโซลูชันที่ปรับแต่งได้สำหรับโครงการในที่สูง.

3. เหตุใดจึงเลือกใช้ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ aR แทนที่จะใช้ฟิวส์ gG ทั่วไป?

A: ฟิวส์ gG HRC มาตรฐานตอบสนองช้าเกินไป ชิปเซมิคอนดักเตอร์อาจเสียหายได้ภายในเวลาไม่กี่ไมโครวินาทีภายใต้สภาวะลัดวงจร ฟิวส์ aR มีพลังงานไหลผ่านต่ำ (I²t) เพื่อตัดกระแสไฟฟ้าลัดวงจรก่อนที่ชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์จะเสียหาย.

การปรับแต่งและการสนับสนุน

เราให้บริการพัฒนาผลิตภัณฑ์ตามสั่งสำหรับสภาพการทำงานพิเศษ ขนาดพิเศษ หรือพารามิเตอร์ทางไฟฟ้าพิเศษ โปรดส่งเอกสารรายละเอียดทางเทคนิคของคุณเพื่อขอใบเสนอราคา ดาวน์โหลดเอกสารข้อมูล | ขอตัวอย่าง | ติดต่อเรา

ฟิวส์แบบทำงานเร็ว H22F