H22F07 aR형 원통형 반도체 퓨즈 690V/700V 25-100A
제품 개요
H22F07 시리즈는 aR급 초고속 반도체 퓨즈, 이 제품은 전기 장비에 사용되는 민감한 전력 반도체 소자의 과부하 및 단락 보호를 위해 설계되었습니다. 정격 전압은 AC IEC 690V, UL 700V 및 DC 600V이며, 전류 범위는 25A~100A입니다. 높은 차단 용량을 제공합니다. 80kA(교류), 50kA(직류). 소형 인버터 UPS 보호, 가변속 드라이브(VFD) 보호 및 기타 700급 전력 전자 회로에 널리 사용됩니다.
이 퓨즈 시리즈는 다음 규정을 준수합니다. GB13539-4, IEC 60269-4 및 UL248-1 / UL248-13 표준을 준수합니다. 고객 요구 사항에 따라 맞춤 서비스도 제공합니다. 테스트 데이터는 23.5°C의 항온 환경에서 측정되었습니다.
주요 특징 및 구조
- 활용 범주: 아르, 반도체 소자 단락 및 회선 과전류 백업 보호 전용
- 용융 요소: 가변 단면적 용융 요소 (다음 재질로 제작됨) 99.99% 순은
- 본체 튜브: 고강도 세라믹 퓨즈 튜브
- 아크 퀜칭 매체: 화학적으로 처리된 고순도 석영 모래와 특수 처리 첨가제
- 용융 요소와 끝단 접점 사이의 안정적인 전기 접촉 연결
- 원통형 카트리지 형태로 표준 퓨즈 홀더를 사용하여 설치가 간편합니다.
- 넓은 온도 범위에서 안정적인 성능
작동 조건
- 주변 공기 온도: -40℃ ~ +125℃
- 설치 고도: 2000m 이하. 2000m 이상 고도에서 사용 시에는 고도에 따른 성능 저하를 고려한 맞춤형 설계를 위해 당사에 문의해 주십시오.
주요 기술 사양
전기 정격 표
| 아니요. | 정격 전류(A) | 아크 발생 전 I²t(A²s) | 총 융합 I²t(A²s) | 전력 손실(W) | 정격 전압 | 모델 번호 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 25 | 32.4 | 300 | 8.5 | 690V/700V | H22F07025 |
| 2 | 32 | 60.3 | 650 | 10.5 | 690V/700V | H22F07035 |
| 3 | 40 | 101.8 | 950 | 12 | 690V/700V | H22F07040 |
| 4 | 50 | 217.6 | 1850 | 13.4 | 690V/700V | H22F07050 |
| 5 | 63 | 386.8 | 3100 | 15.5 | 690V/700V | H22F07063 |
| 6 | 80 | 840.1 | 6800 | 16 | 690V/700V | H22F07080 |
| 7 | 100 | 1890 | 13000 | 17.8 | 690V/700V | H22F07100 |
참고: 테스트 환경: 23.5°C 항온. 사용자 지정 매개변수 사용 가능.
기계적 치수
- 외경:직경 22.2 ±0.1 mm
- 전체 길이:58 (+0.1 /‑2) mm
- 끝 캡 길이: 양쪽 각각 15.8mm
ALT 태그를 사용하여 치수 도면 이미지를 여기에 삽입하세요.
용융 특성 곡선
아크 발생 전 시간 대 예상 전류 곡선은 H22F07 시리즈 각 모델의 시간-전류 성능을 나타냅니다. 정확한 퓨즈 선택은 곡선 도표를 참조하십시오.
ALT 태그를 사용하여 용융 곡선 차트 이미지를 여기에 삽입하세요.
일반적인 적용 사례
- UPS 전원 공급 시스템(소형 인버터)
- 가변속 드라이브 / VFD 모터 드라이브
- 전력 변환 전기 장비
- 정류기, 전력 모듈 단락 보호
- 반도체급 과전류 보호가 필요한 기타 690-700V 전력 전자 장치
- 규정 준수 및 표준
- 국가 표준: GB13539‑4
- IEC 국제 표준: IEC 60269-4
- UL 표준: UL248-1, UL248-13
자주 묻는 질문
1: aR 활용 범주란 무엇을 의미합니까?
A: aR은 반도체 소자의 초고속 단락 보호에 최적화된 부분 범위 반도체 백업 퓨즈를 의미합니다. 일반적으로 전체 시스템에서 별도의 과부하 보호 장치와 함께 사용해야 합니다.
2: H22F07은 고도 2000m 이상에서 작동할 수 있습니까?
A: 네. 2000m 이상 고도에서는 성능 저하가 발생합니다. 고고도 프로젝트에 대한 맞춤형 솔루션은 당사 엔지니어링 팀에 문의하십시오.
3. 범용 gG 퓨즈 대신 aR 반도체 퓨즈를 선택해야 하는 이유는 무엇입니까?
A: 일반적인 gG HRC 퓨즈는 반응 속도가 너무 느립니다. 반도체 칩은 단락 사고 발생 시 수 마이크로초 만에 파손될 수 있습니다. aR 퓨즈는 낮은 I²t 통과 에너지를 특징으로 하여 반도체 부품이 손상되기 전에 고장 전류를 차단합니다.
맞춤 설정 및 지원
당사는 특수 작업 조건, 특수 치수 또는 특수 전기적 매개변수에 대한 맞춤 개발 서비스를 제공합니다. 견적을 받으시려면 기술 요구 사항서를 보내주십시오. 데이터시트 다운로드 | 샘플 요청 | 문의하기
