ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรง GFEVF150 ซีรีส์ | 70-1000A 150V DC คลาส AR | EssFuse
ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้ากระแสตรงแบบ A-Class GFEVF150 สไตล์อเมริกาเหนือ 70-1000A 125/150V DC ความสามารถในการตัดกระแส 50kA กระแส I²t ต่ำ และการสูญเสียพลังงานต่ำ เหมาะสำหรับอุปกรณ์เก็บพลังงาน ชุดแบตเตอรี่ ไดรฟ์ DC และตัวแปลงไฟ ผ่านการรับรอง CE RoHS, UL248.13 และ IEC60269.4.
ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้ากระแสตรง GFEVF150 ซีรีส์
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรงแบบคลาส aR รุ่น GFEVF150 เป็นฟิวส์แบบอเมริกาเหนือที่ผลิตโดย GFEVFUSE ฟิวส์ความเร็วสูงนี้ออกแบบมาสำหรับวงจรไฟฟ้ากระแสตรงอุตสาหกรรมขนาดใหญ่ เพื่อปกป้องอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ไวต่อความเสียหาย จึงให้ประสิทธิภาพการตัดกระแสตรงที่ยอดเยี่ยม ด้วยแรงดันอาร์คต่ำและพลังงานไหลผ่าน I²t ต่ำ นอกจากนี้ยังครอบคลุมช่วงกระแส 70-1000A ภายใต้แรงดันไฟ 125V/150V DC ด้วยความสามารถในการตัดกระแสสูงถึง 50kA และยังผ่านมาตรฐาน UL248.13, IEC60269.4, CE และ RoHS ดังนั้นจึงเป็นส่วนประกอบป้องกันกระแสเกินและลัดวงจรที่ได้รับความนิยมสำหรับอุปกรณ์ไฟฟ้ากระแสตรงพลังงานใหม่.
ข้อกำหนดทั่วไป
| รายการ | พารามิเตอร์ |
|---|---|
| ชุด | GFEVF150 (ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ไฟฟ้ากระแสตรงแบบอเมริกาเหนือ) |
| แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด | 125V, 150V DC |
| กระแสไฟฟ้าที่กำหนด | 70A-1000A |
| ความสามารถในการรับแรงดึงสูงสุด | 50kA @150V DC (สูงสุด) |
| ค่าคงที่เวลา | 2.5±0.5 มิลลิวินาที |
| ระดับการป้องกัน | AR (การป้องกันสารกึ่งตัวนำ) |
| เอกสารอ้างอิงมาตรฐาน | UL248.13, IEC60269.4 |
| การรับรอง | ได้รับมาตรฐาน CE และ RoHS |
พารามิเตอร์ทางไฟฟ้า (I²t และกำลังไฟฟ้าที่สูญเสียไป @150V DC)
| แบบอย่าง | กระแสไฟฟ้าที่กำหนด (A) | พรีอาร์ค I²t(A²s) | การเคลียร์ I²t(A²s) | การสูญเสียพลังงาน (วัตต์) |
|---|---|---|---|---|
| GFEVF150‑070 | 70 | 470 | 4000 | 6.9 |
| จีเอฟเอฟ150‑080 | 80 | 670 | 6000 | 7.7 |
| จีเอฟเอฟ150-100 | 100 | 1200 | 12000 | 9.0 |
| จีเอฟเอฟ150‑125 | 125 | 1870 | 18000 | 11.2 |
| จีเอฟเอฟ150‑150 | 150 | 2700 | 26000 | 13.5 |
| จีเอฟเอฟ150‑200 | 200 | 4780 | 45000 | 17.6 |
| จีเอฟเอฟ150-250 | 250 | 7470 | 70000 | 22.5 |
| จีเอฟเอฟ150‑300 | 300 | 10760 | 100000 | 27.0 |
| จีเอฟเอฟ150‑350 | 350 | 15700 | 140000 | 30.6 |
| จีเอฟเอฟ150‑400 | 400 | 20300 | 180000 | 35.2 |
| จีเอฟเอฟ150‑500 | 500 | 39000 | 120000 | 35.0 |
| จีเอฟเอฟ150‑600 | 600 | 46000 | 140000 | 47.0 |
| จีเอฟเอฟ150‑700 | 700 | 75000 | 220000 | 49.0 |
| จีเอฟเอฟ150‑800 | 800 | 92000 | 280000 | 58.0 |
| จีเอฟเอฟ150‑1000 | 1000 | 170000 | 510000 | 60.0 |
ขนาดโดยรวม (มม.)
| ช่วงกระแสไฟฟ้า | เอ±1.5 | บี±1 | ซี±1 | ด±1.5 | อี±0.5 | เอฟ±0.5 | H±1 | จี±0.5 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70-400A | 68 | 25 | 29 | 52 | 9 | 17 | 4 | 11 |
| 500-1000A | 90 | 38 | 33 | 61 | 11 | 25 | 6 | 18 |
เงื่อนไขการใช้งานและการจัดเก็บ
| รายการ | พารามิเตอร์ |
|---|---|
| อุณหภูมิในการจัดเก็บ | -40℃ ถึง +120℃ |
| อุณหภูมิแวดล้อมในการทำงานปกติ | -5℃ ถึง +40℃ |
| อุณหภูมิใช้งานที่อนุญาต | -40℃ ถึง +85℃ |
| กระแสไฟฟ้าต่อเนื่องที่แนะนำ | กระแสฟิวส์พิกัด ≤75% |
| ระดับความสูงสำหรับการใช้งานปกติ | ≤2000ม. |
| ประสิทธิภาพการป้องกันการสั่นสะเทือน | ความเร่ง ≥20g |
หมายเหตุ: โปรดใช้ค่าปรับลดกำลังตามอุณหภูมิและความสูงเมื่อใช้งานนอกเหนือสภาวะปกติ โปรดดูเอกสารข้อมูลอย่างเป็นทางการสำหรับค่าสัมประสิทธิ์ที่แน่นอน.
คุณสมบัติหลักและประโยชน์
- การออกแบบที่เน้นกระแสตรง: มีความสามารถในการตัดกระแสตรงได้ดีเยี่ยม แรงดันอาร์คต่ำ และพลังงานที่ไหลผ่าน I²t ต่ำ จึงช่วยลดภาระให้กับชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ที่ได้รับการป้องกันได้อย่างอ่อนโยน.
- การตอบสนองการแก้ไขข้อผิดพลาดที่รวดเร็ว: สามารถเปิดวงจรได้เร็วกว่าเดิมถึงสิบเท่าภายใต้กระแสไฟฟ้าลัดวงจรสูง จึงสามารถปกป้อง IGBT, ไทริสเตอร์ และโมดูลเซมิคอนดักเตอร์ที่ไวต่อกระแสไฟฟ้าได้อย่างมีประสิทธิภาพ.
- การสูญเสียพลังงานต่ำและประสิทธิภาพการปั่นจักรยานที่ดี: การใช้พลังงานต่ำช่วยลดความร้อนภายในตู้ นอกจากนี้ยังให้ประสิทธิภาพที่เสถียรสำหรับการใช้งานซ้ำหลายรอบ.
- สามารถติดตั้งแบบขนานได้ฟิวส์หลายตัวสามารถทำงานแบบขนานได้ภายในขอบเขตข้อกำหนด เพื่อให้ได้กระแสไฟฟ้ารวมที่สูงขึ้น.
- มีความสามารถในการปรับตัวเข้ากับสภาพแวดล้อมได้ดี: มีความสามารถในการต้านทานไฟกระชากสูง ทนต่ออุณหภูมิได้กว้าง และทนทานต่อการสั่นสะเทือนและแรงกระแทกได้ดีเยี่ยม เหมาะสำหรับใช้งานในโรงงานอุตสาหกรรม.
- รูปแบบมาตรฐานอเมริกาเหนือแบบยึดด้วยสลักเกลียว: ติดตั้งบนบัสบาร์ได้สะดวก ตรงตามข้อกำหนด CE และ RoHS สำหรับโครงการส่งออกทั่วโลก.
การใช้งานทั่วไป
- ระบบกักเก็บพลังงาน พร้อมระบบป้องกันกระแสเกินและลัดวงจรด้าน DC
- การป้องกันอุปกรณ์ขับเคลื่อนกระแสตรงและอุปกรณ์ขับเคลื่อนความเร็วแปรผัน
- วงจรป้องกันด้าน DC ของตัวแปลงพลังงานและวงจรเรียงกระแส
- การป้องกันวงจรหลักของชุดแบตเตอรี่สำหรับรถยนต์แบบอยู่กับที่และรถยนต์พลังงานใหม่
- ระบบป้องกันไฟลัดวงจรสำรองสำหรับรีเลย์ DC และโมดูลกำลังไฟฟ้าเซมิคอนดักเตอร์
ดาวน์โหลดแหล่งข้อมูล
ฟิวส์เซมิคอนดักเตอร์ GFEVF150V
คำถามที่พบบ่อย
1: คำว่า "คลาส R" สำหรับฟิวส์ GFEVF150 หมายความว่าอย่างไร?
A: R ย่อมาจากฟิวส์ป้องกันเซมิคอนดักเตอร์ (semiconductor-protection fuse class) โดยมีคุณสมบัติในการตัดวงจรลัดวงจรอย่างรวดเร็ว ซึ่งสามารถจำกัดพลังงานที่เกิดขึ้นจากความผิดพลาดและป้องกันความเสียหายถาวรต่อเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าที่ไวต่อความเสียหาย เช่น IGBT และไทริสเตอร์.
2: สามารถใช้ GFEVF150 series สำหรับป้องกันวงจรไฟฟ้ากระแสสลับได้หรือไม่?
A: ผลิตภัณฑ์ในซีรีส์นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อใช้งานกับระบบไฟฟ้ากระแสตรง (DC) โดยเฉพาะ ดังนั้นจึงไม่ควรนำไปใช้กับวงจรไฟฟ้ากระแสสลับ (AC) เว้นแต่คุณจะทำการตรวจสอบประสิทธิภาพการทำงานอย่างเต็มรูปแบบร่วมกับฝ่ายสนับสนุนด้านเทคนิคของผู้ผลิตแล้ว.
3: เหตุใดจึงต้องจำกัดกระแสไฟฟ้าใช้งานต่อเนื่องไว้ที่ ≤75% ของค่าพิกัด?
A: การตั้งค่านี้จะสำรองระยะปลอดภัยทางความร้อนเพื่อรองรับการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิแวดล้อม การลดกำลังการทำงานตามระดับความสูง และความผันผวนของโหลดชั่วคราว ซึ่งจะช่วยยืดอายุการใช้งานของฟิวส์และป้องกันการขาดโดยไม่คาดคิด.
4. มีกฎการลดกำลังใดบ้างที่ใช้เมื่อติดตั้งที่ระดับความสูงเกิน 2000 เมตร?
A: สำหรับการติดตั้งในตู้ปิด ให้ลดกระแสไฟฟ้าที่กำหนดลง 2%-5% ทุกๆ ความสูงที่เพิ่มขึ้น 1000 เมตร ขณะเดียวกัน ให้ตรวจสอบการลดระยะห่างของฉนวนอากาศด้วย ในสภาพแวดล้อมกลางแจ้ง โดยทั่วไปผู้ใช้สามารถข้ามขั้นตอนการลดกระแสไฟฟ้าได้.
5. สามารถต่อแบบขนานเพื่อให้ได้ความสามารถในการรับกระแสไฟฟ้าที่สูงขึ้นได้หรือไม่?
A: ใช่ครับ การติดตั้งแบบขนานได้รับอนุญาตภายใต้ข้อกำหนดอย่างเป็นทางการ แต่ผู้ใช้ต้องรับประกันว่าการกระจายกระแสไฟฟ้าสำหรับแต่ละหน่วยฟิวส์ในการออกแบบระบบนั้นสมดุลกัน.
6. อุณหภูมิแวดล้อมสูงมีผลต่อกระแสไฟฟ้าพิกัดของฟิวส์หรือไม่?
A: ใช่ครับ หากอุณหภูมิแวดล้อมเกิน +40℃ คุณต้องใช้ค่าตัวประกอบลดกำลังการทำงานตามอุณหภูมิ Kt เพื่อลดกระแสไฟฟ้าที่ใช้งานจริง โปรดตรวจสอบกราฟลดกำลังการทำงานในเอกสารข้อมูลจำเพาะเพื่อดูค่าที่แน่นอน.
7. ฉันสามารถเปลี่ยนฟิวส์ขณะที่ยังมีกระแสไฟอยู่ได้หรือไม่?
A: โดยปกติแล้ว คุณไม่สามารถเปลี่ยนฟิวส์ขณะที่ยังมีโหลดต่ออยู่ได้ เว้นแต่ว่าอุปกรณ์ของคุณจะเป็นอุปกรณ์ที่ใช้ฟิวส์ตัดโหลดแบบพิเศษ โปรดตัดกระแสไฟก่อนทำการเปลี่ยนฟิวส์ทุกครั้ง.
