GFEVF150 시리즈 DC 전력 반도체 퓨즈
제품 개요
GFEVF150 시리즈는 GFEVFUSE에서 생산하는 북미식 aR급 DC 전력 반도체 퓨즈입니다. 이 고속 퓨즈는 민감한 반도체 소자를 보호하기 위해 고부하 산업용 DC 회로에 적합하게 설계되었습니다. 따라서 낮은 아크 전압과 낮은 I²t 에너지 통과로 탁월한 DC 차단 성능을 제공합니다. 또한 125V/150V DC에서 70~1000A의 전류 범위를 지원하며, 50kA의 높은 차단 용량을 갖추고 있습니다. 뿐만 아니라 UL248.13, IEC60269.4, CE 및 RoHS 표준을 충족합니다. 결과적으로 GFEVF150 시리즈는 신에너지 DC 장비의 과전류 및 단락 보호 부품으로 선호됩니다.
일반 사양
| 목 | 매개변수 |
|---|---|
| 시리즈 | GFEVF150 (북미식 DC 전력 반도체 퓨즈) |
| 정격 전압 | 125V, 150V DC |
| 정격 전류 | 70A-1000A |
| 정격 파괴 용량 | 50kA @150V DC(최대) |
| 시간 상수 | 2.5±0.5ms |
| 보호 등급 | aR(반도체 보호) |
| 표준 참조 | UL248.13, IEC60269.4 |
| 인증 | CE, RoHS 준수 |
전기적 매개변수(I²t 및 와트 손실 @150V DC)
| 모델 | 정격 전류(A) | Pre‑arc I²t(A²s) | Clearing I²t(A²s) | Watts Loss(W) |
|---|---|---|---|---|
| GFEVF150-070 | 70 | 470 | 4000 | 6.9 |
| GFEVF150-080 | 80 | 670 | 6000 | 7.7 |
| GFEVF150-100 | 100 | 1200 | 12000 | 9.0 |
| GFEVF150-125 | 125 | 1870 | 18000 | 11.2 |
| GFEVF150-150 | 150 | 2700 | 26000 | 13.5 |
| GFEVF150-200 | 200 | 4780 | 45000 | 17.6 |
| GFEVF150-250 | 250 | 7470 | 70000 | 22.5 |
| GFEVF150-300 | 300 | 10760 | 100000 | 27.0 |
| GFEVF150-350 | 350 | 15700 | 140000 | 30.6 |
| GFEVF150-400 | 400 | 20300 | 180000 | 35.2 |
| GFEVF150-500 | 500 | 39000 | 120000 | 35.0 |
| GFEVF150-600 | 600 | 46000 | 140000 | 47.0 |
| GFEVF150-700 | 700 | 75000 | 220000 | 49.0 |
| GFEVF150-800 | 800 | 92000 | 280000 | 58.0 |
| GFEVF150-1000 | 1000 | 170000 | 510000 | 60.0 |
Outline Dimensions(mm)
| 현재 범위 | A±1.5 | B±1 | C±1 | D±1.5 | E±0.5 | F±0.5 | H±1 | G±0.5 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 70-400A | 68 | 25 | 29 | 52 | 9 | 17 | 4 | 11 |
| 500-1000A | 90 | 38 | 33 | 61 | 11 | 25 | 6 | 18 |
Operating & Storage Conditions
| 목 | 매개변수 |
|---|---|
| 보관 온도 | -40℃ ~ +120℃ |
| 정상 작동 주변 온도 | -5℃ ~ +40℃ |
| 허용 작동 온도 | -40℃ ~ +85℃ |
| 권장 연속 전류 | ≤75% of fuse rated current |
| Normal‑use Altitude | ≤2000m |
| Anti‑vibration Performance | ≥20g acceleration |
참고: 정상 작동 조건을 벗어나 작동할 경우 온도 및 고도 저하 계수를 적용하십시오. 정확한 계수 값은 공식 데이터시트를 참조하십시오.
Core Features & Benefits
- DC 지향 설계탁월한 직류 차단 능력, 낮은 아크 전압 및 낮은 I²t 에너지 통과율을 갖추고 있어 보호 대상 반도체 부품에 부담을 주지 않습니다.
- 빠른 오류 제거 응답높은 고장 전류 발생 시 최대 10배 빠른 개방 속도를 제공하여 IGBT, 사이리스터 및 기타 민감한 반도체 모듈을 효과적으로 보호할 수 있습니다.
- 낮은 와트 손실 및 우수한 사이클링 성능낮은 전력 소비로 캐비닛 발열을 줄여줍니다. 또한, 반복적인 작업 주기 동안 안정적인 성능을 제공합니다.
- 병렬 설치 가능: 여러 개의 퓨즈는 규격 지침 내에서 병렬로 작동하여 더 높은 총 전류 용량을 확보할 수 있습니다.
- 뛰어난 환경 적응력산업 현장에 적합한 뛰어난 서지 방지 기능, 넓은 온도 범위, 탁월한 진동 및 충격 저항성을 제공합니다.
- 볼트온 방식의 북미형 폼팩터버스바에 편리하게 장착할 수 있습니다. CE 및 RoHS 요구 사항을 충족하여 전 세계 수출 프로젝트에 적합합니다.
일반적인 적용 사례
- 에너지 저장 시스템 DC 측 과전류 및 단락 보호
- DC drives and variable‑speed drive equipment protection
- Power converters and rectifier DC‑side circuit safeguard
- 정지형 및 신에너지 차량용 배터리 팩 주 회로 보호
- DC 릴레이 및 반도체 전력 모듈용 백업 단락 보호 기능
리소스 다운로드
자주 묻는 질문
1: GFEVF150 퓨즈에서 aR 등급이란 무엇을 의미합니까?
A: aR은 반도체 보호 퓨즈 등급을 의미합니다. 실제로 aR은 초고속 단락 차단 기능을 제공하여 고장 에너지를 제한하고 IGBT 및 사이리스터와 같은 민감한 전력 반도체의 영구적인 손상을 방지할 수 있습니다.
2: GFEVF150 시리즈는 AC 회로 보호에 사용할 수 있습니까?
A: 본 시리즈는 DC 시스템 환경에 최적화되어 있습니다. 따라서 제조사 기술 지원팀과 함께 전체 성능 검증을 완료하지 않은 경우에는 AC 회로에 적용하지 마십시오.
3. 정격값의 75% 이하로 연속 동작 전류를 제한하는 이유는 무엇입니까?
A: 이 설정은 주변 온도 상승, 고도에 따른 성능 저하 및 과도 부하 변동에 대한 열 안전 여유를 확보합니다. 이를 통해 퓨즈의 수명을 연장하고 예기치 않은 비의도적 단선을 방지할 수 있습니다.
4. 고도 2000m 이상에 설치할 경우 어떤 출력 저하 규정이 적용되나요?
A: 밀폐형 캐비닛 설치의 경우, 고도 1,000m 증가당 정격 전류 2%~5%만큼 정격 용량을 낮추십시오. 또한, 공기 절연 간격 감소 여부를 확인하십시오. 개방된 환경에서는 일반적으로 정격 용량 낮추기 작업을 생략할 수 있습니다.
5. 더 높은 전류 용량을 얻기 위해 병렬 연결이 허용됩니까?
A: 네, 공식 규격 지침에 따라 병렬 설치가 허용됩니다. 하지만 사용자는 시스템 설계 시 각 퓨즈 유닛의 전류 분배가 균형 있게 이루어지도록 해야 합니다.
6. 주변 온도가 높으면 퓨즈의 정격 전류에 영향을 미칩니까?
A: 네. 주변 온도가 +40℃를 초과할 경우, 실제 작동 전류를 줄이기 위해 온도 감속 계수 Kt를 적용해야 합니다. 정확한 값은 데이터시트의 감속 곡선을 참조하십시오.
7. 부하가 걸린 상태에서 퓨즈를 교체해도 되나요?
A: 일반적으로 부하가 연결된 상태에서는 퓨즈를 교체할 수 없습니다. 특수 부하 차단 퓨즈 스위치가 장착된 기기가 아닌 이상, 퓨즈 교체 작업을 하기 전에 반드시 전원을 차단하십시오.
