ฟิวส์ ESS แบบยึดด้วยสลัก ANL‑B150BSF51 | ฟิวส์ป้องกันวงจรเก็บพลังงาน 100‑700A 150V DC
นักออกแบบฮาร์ดแวร์สำหรับระบบจัดเก็บแบตเตอรี่และระบบการคมนาคมรูปแบบใหม่ มักมองหาฟิวส์แบบยึดด้วยสลักเกลียวที่ได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับสภาพแวดล้อมบัสแรงดันต่ำ 150V DC. ฟิวส์ ESS แบบยึดด้วยสลัก ANL‑B150BSF51 อุปกรณ์นี้ให้การป้องกันการลัดวงจรและการโอเวอร์โหลดที่เชื่อถือได้สำหรับวงจร DC ที่เน้นการใช้พลังงาน นอกจากนี้ยังใช้วัสดุ PPS ทนความร้อนสูงและเปลือกเซรามิก และเป็นไปตามมาตรฐานความปลอดภัย UL248-1 อย่างครบถ้วน ที่สำคัญคือ ซีรี่ส์นี้มีระดับกระแส 100-700A สำหรับการใช้งาน 150V-DC ทำงานได้ในช่วงอุณหภูมิแวดล้อม -40℃ ถึง +125℃ และมีความสามารถในการตัดกระแสลัดวงจร 20kA ดังนั้นวิศวกรไฟฟ้าจึงสามารถนำชุดข้อมูล I²t ที่เผยแพร่แล้วไปใช้โดยตรงสำหรับการประสานงานอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ในวงจรที่มีค่าคงที่เวลา L/R ≤25ms ได้.
หน้าเว็บทางเทคนิคที่เกี่ยวข้อง: หมวดหมู่ฟิวส์สำหรับเก็บพลังงาน & ตัวยึดฟิวส์ขนาดใหญ่ GFEV(B300)
เอกสารอ้างอิงการปฏิบัติตามข้อกำหนด: เอกสารมาตรฐานความปลอดภัยของฟิวส์ UL 248‑1
จุดเด่นทางเทคนิคหลัก
- ขนาดกะทัดรัด ติดตั้งด้วยสลักเกลียว: รูปทรงกะทัดรัดช่วยประหยัดพื้นที่ในตู้ควบคุมสำหรับติดตั้งแบตเตอรี่กระแสสูงและอุปกรณ์ช่วยการเคลื่อนที่.
- ตัวเรือนคอมโพสิตทนความร้อนโดยเฉพาะอย่างยิ่ง เปลือกคอมโพสิต PPS-เซรามิก สามารถทนต่อความเครียดทางความร้อนสูงภายในตู้แบตเตอรี่แบบปิดสนิทได้ในช่วงอุณหภูมิที่กว้าง.
- ประสิทธิภาพการลัดวงจร 20kA ที่ได้รับการปรับให้เหมาะสมโมเดลนี้ช่วยลดพลังงานจากการหลอมละลายและการเกิดประกายไฟพร้อมกันภายใต้สภาวะไฟฟ้าลัดวงจร นอกจากนี้ยังช่วยลดความเครียดที่เกิดขึ้นกับเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าปลายทางอีกด้วย.
- คุณลักษณะการโอเวอร์โหลดที่เสถียร: ค่าขีดจำกัดการโอเวอร์โหลดและค่าแรงดันตกคร่อมยังคงที่ ในขณะเดียวกัน ขนาดของการลัดวงจรจะไม่ส่งผลกระทบต่อประสิทธิภาพการรับกระแสไฟฟ้าในระยะยาว.
- ความสามารถในการปรับตัวของวงจร DC ที่กำหนดเป้าหมาย: สามารถรักษาประสิทธิภาพการดับประกายไฟได้อย่างน่าเชื่อถือสำหรับวงจร DC แรงดันต่ำที่มี L/R ≤ 25ms ซึ่งพบได้ทั่วไปในชุดแบตเตอรี่.
- คำเตือนเกี่ยวกับการออกแบบที่สำคัญ: ควรเว้นระยะปลอดภัยที่เพียงพอเสมอ ดังนั้น ค่ากระแสลัดวงจรทั้งหมดของฟิวส์ (I²t) ต้องต่ำกว่าค่ากระแสทนต่อความผิดพลาดของชิ้นส่วนเซมิคอนดักเตอร์ (I²t).
ตารางรหัสสั่งซื้อฉบับเต็ม ANL‑B150BSF51 I²t
| หมายเลขชิ้นส่วน | กระแสไฟฟ้าที่กำหนด (A) | I²t(A²s) ก่อนการเกิดประกายไฟ | Arcing I²t(A²s) | การเคลียร์ทั้งหมด I²t(A²s) |
|---|---|---|---|---|
| ANL‑B150B100SF51 | 100A | 520 | 260 | 780 |
| ANL‑B150B150SF51 | 150A | 980 | 400 | 1380 |
| ANL‑B150B200SF51 | 200เอ | 1650 | 620 | 2270 |
| ANL‑B150B250SF51 | 250A | 2600 | 950 | 3550 |
| ANL‑B150B300SF51 | 300A | 3750 | 1400 | 5150 |
| ANL‑B150B350SF51 | 350A | 5100 | 1900 | 7000 |
| ANL‑B150B400SF51 | 400เอ | 6800 | 2550 | 9350 |
| ANL‑B150B450SF51 | 450A | 8250 | 3225 | 11475 |
| ANL‑B150B500SF51 | 500A | 10800 | 4000 | 14800 |
| ANL‑B150B550SF51 | 550A | 13100 | 4850 | 17950 |
| ANL‑B150B600SF51 | 600A | 15600 | 5700 | 21300 |
| ANL‑B150B650SF51 | 650A | 18250 | 6550 | 24800 |
| ANL‑B150B700SF51 | 700เอ | 21000 | 7400 | 28400 |
ข้อกำหนดทางไฟฟ้าทั่วไป
| รุ่นซีรีส์ | ANL‑B150BSF51 |
| แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงที่กำหนด | 150V DC |
| วัสดุสำหรับที่อยู่อาศัย | PPS อุณหภูมิสูง + เซรามิก |
| มาตรฐานการปฏิบัติตาม | UL248‑1 |
| ช่วงอุณหภูมิการทำงาน | -40℃ ถึง +125℃ |
| ความสามารถในการตัดวงจรลัดวงจรตามพิกัด | 20kA |
| ค่าคงที่เวลา L/R ของวงจรที่แนะนำ | ≤25 มิลลิวินาที |
การตีความเชิงปฏิบัติของเส้นโค้งเวลา-กระแส
ฟิวส์ซีรีส์นี้มีคุณสมบัติหน่วงเวลาที่แน่นอนสำหรับการป้องกันกระแสตรงแรงดันต่ำ ที่โหลดกระแสปกติ 100 % ฟิวส์จะคงระยะเวลาไม่ขาดอย่างน้อย 4 ชั่วโมง ตัวอย่างเช่น ฟิวส์จะตัดวงจรผิดปกติภายในเวลาสูงสุด 10 วินาที ภายใต้โหลดกระแสเกินพิกัด 300 % นอกจากนี้ ชุดข้อมูลเส้นโค้งเวลา-กระแสยังสนับสนุนการจำลองเพื่อศึกษาการประสานงานการป้องกัน โปรดทราบว่าอุณหภูมิแวดล้อมในโลกแห่งความเป็นจริง การระบายอากาศของตู้ และความต้านทานการสัมผัสของบัสบาร์ จะส่งผลต่อประสิทธิภาพการขาดของฟิวส์ในฮาร์ดแวร์จริง.
สถานการณ์การใช้งานภาคสนามเป้าหมาย
ผู้ประกอบระบบเลือกใช้ฟิวส์แบบยึดด้วยสลัก ANL‑B150BSF51 ในงานที่เกี่ยวข้องกับพลังงานใหม่หลากหลายประเภท สำหรับโครงการด้านการขนส่ง ฟิวส์นี้ใช้ป้องกันรถจักรยานยนต์ไฟฟ้า รถรางพลังงานใหม่ และระบบเสริมการชาร์จ นอกจากยานพาหนะภาคพื้นดินแล้ว ยังใช้ป้องกันระบบจ่ายไฟสำหรับวงจรไฟฟ้าของยานบินไร้คนขับ นอกจากนี้ยังเหมาะสำหรับชุดตัวเก็บประจุยิ่งยวด ระบบจัดเก็บพลังงานแบตเตอรี่ บัสบาร์ DC แรงดันต่ำ และอุปกรณ์ไฟฟ้ากระแสตรงควบคุมอุตสาหกรรม.
รายการตรวจสอบการคัดเลือกที่เน้นด้านวิศวกรรม
ประการแรก ตรวจสอบให้แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้ากระแสตรง (DC) ของระบบไม่เกินค่าพิกัด 150V DC ประการที่สอง ตรวจสอบค่า L/R ของวงจรและหลีกเลี่ยงการใช้งานในลูปที่มีค่า L/R เกิน 25 มิลลิวินาที ประการที่สาม คำนวณค่า I²t ให้ถูกต้อง เลือกฟิวส์ที่มีค่า I²t รวมในการตัดวงจรต่ำกว่าขีดจำกัด I²t ที่อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ทนได้ ประการที่สี่ ใช้การลดพิกัดกระแสที่เหมาะสมหากฟิวส์อยู่ในตู้ปิดที่มีการระบายอากาศไม่ดี สุดท้าย เลือกใช้ตัวยึดฟิวส์แบบยึดด้วยน็อตที่เข้ากันได้ เช่น GFEV(B300) เพื่อการประกอบที่แน่นหนา.
คำแถลงการผลิตและการปฏิบัติตามข้อกำหนด
Dongguan GongFu Electronics (GFEFUSE) manufactures this ANL‑B150BSF51 bolt‑down ESS‑fuse series. Every production batch passes electrical‑parameter sampling test plus dimensional inspection before shipment. Also, our engineering group provides physical sample units so you can complete lab validation and I²t‑matching verification. Furthermore, we accept volume‑order OEM requests for custom marking requirements. Reach our sales team for curve data or compliance‑document support.
👉 ฟิวส์ ESS แบบยึดด้วยสลัก ANLB150BSF51
คำถามที่พบบ่อยทางเทคนิคสำหรับนักออกแบบระบบไฟฟ้า
1: ANL-B150BSF51 สามารถตัดวงจรลัดได้มากน้อยเพียงใด?
A: สามารถตัดกระแสลัดวงจรได้ถึง 20kA ภายใต้สภาวะการทำงานที่แรงดันไฟตรง 150V.
2: สภาวะวงจร L/R แบบใดที่เหมาะสมกับฟิวส์แบบยึดด้วยสลักชนิด ESS นี้?
A: นักออกแบบควรนำไปใช้กับวงจร DC ที่มี L/R ≤25ms; ประสิทธิภาพการดับประกายไฟอาจลดลงหากเกินเกณฑ์นี้.
3: วิศวกรควรดำเนินการประสานงาน I²t กับชิปเซมิคอนดักเตอร์อย่างไร?
A: โปรดดูตารางค่ากระแสลัดวงจรรวม (I²t) ที่เผยแพร่ และเลือกฟิวส์ที่มีค่ากระแสลัดวงจรรวม (I²t) ต่ำกว่าค่ากระแสลัดวงจรสูงสุด (I²t) ที่ส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์ทนได้.
4. ผลิตภัณฑ์ ANL-B150BSF51 เป็นไปตามมาตรฐานความปลอดภัยข้อใด?
A: ฟิวส์เก็บพลังงานแบบยึดด้วยสลักเกลียวนี้เป็นไปตามข้อกำหนดมาตรฐานความปลอดภัยของฟิวส์ UL248-1.
